W3-EDA 判据引擎芯片良品率，1秒闭式解析 —— SM 立体矩阵论的第一个行业出口
存储芯片良品率评估长期依赖蒙特卡洛仿真：一个设计点从几十分钟到几小时。W3-EDA 走第三条路——判据闭式解析：输入设计参数，秒级给出通过与否、裕度与保守良率下界；给定目标，反推设计还能走多远。底座是已发表、带 DOI 的 SM 立体矩阵论（开放复杂系统的通用数学语言）。
设计点秒级体检：一次给出通过与否、裕度多少。滑杆只吸附实测标定点，看到的每个数都是标定域内的真值。
给定目标判据，反解最小单元比与沟道长度上限——边界阶梯表可直接当规格线写进设计规则。
整批测试样本一次判定，PASS/FAIL 逐行可导出；良率一律按保守下界给出，与实测对标只会更稳。
API 与 MCP 双通道接入设计流程，返回结构化结果；商业用途附授权条款，合规清晰。
Ⅰ它解决什么问题
行业三条路线：仿真加速、数据归因、判据闭式。前两条仍在「跑仿真」的框架内改良；W3-EDA 属于第三条——以判据为中心，在已标定域内对设计点直接给出判定，把单点评估从小时级降到秒级，让「每个候选点都判一遍」从奢望变成日常。判定之外还能反解：给定目标门槛，返回满足判据的设计边界，供规格制定直接引用。
Ⅱ能力一览
| 能力 | 输入 | 输出 | 岗位 |
|---|---|---|---|
| 仿真闭式校验 | 设计参数（五个量级） | 通过/不通过、裕度 σ 数、良率保守下界 | 电路设计 |
| 正向边界反解 | 目标判据（可附参考点） | CR_min / L_max 边界阶梯表 | PIE |
| 批量评估与良率对标 | 整批测试样本 CSV | 逐行判定表（可导出）、与实测良率对照 | YE |
| API / MCP 集成 | HTTP 或 MCP 协议调用 | 结构化白名单结果、商业授权声明 | CAD/EDA |
域内：秒级直读、数值为实测标定点；域外：明确标注为外推粗估，不装准。试用版只显示实测点、不做外推。
试用版全部计算在申请方本机完成，数据不出机；任何对外通道只给结果，不公开公式、参数与内部量。
Ⅲ学术底座（全部开放获取 · 带 DOI）
W3-EDA 不是孤立工具，而是 W3 LAB 论文体系（生长式数学 → SM 立体矩阵论 → 行业应用）在存储芯片良率域的第一个垂直兑现。底座论文 34 篇，中英双语，CC BY 4.0。
| 底座 | 入口 |
|---|---|
| SW 结构世界观（体系地基） | DOI 10.5281/zenodo.23488869 |
| SM 立体矩阵论（理论篇 16 篇 + 应用组） | 官网论文总页 · 版面Ⅱ |
| 开放复杂系统（六领域验证） | 官网论文总页 · 版面Ⅲ |
| SM 设计与监控工具（同源在线工具） | tool.html · 在线判定 |
Ⅳ试用与合作
W3-EDA 现处内测申请制阶段：面向存储芯片设计公司、晶圆厂、EDA 同行与投资研究机构开放限量试用。来信请说明机构、职岗与试用场景，我们按申请顺序开通并同步《试用口径与边界说明》。
直接开用：进入完整工作台 →（判定 / 边界反解 / 批量 / 报告 / 扫描曲线 / 设计空间热图 / AI 解读，全部功能在线可用；输入不落库，试算不留痕。）只想先看一眼效果，可走三分钟试算。